| 型号：IRFBG30 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V（1kV） |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3.1A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 5 欧姆 @ 1.9A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 80nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 980pF @ 25V |
| 功率_最大 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
| 深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
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| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
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