型号:IRFBG30 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 5 欧姆 @ 1.9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 80nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 980pF @ 25V |
功率_最大 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
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